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單晶硅壓力變送器和電容式壓力變送器都是變送器的一種，他們各自有什么樣的區(qū)別呢，接下來我們來了解一下他們之間的區(qū)別。

單晶硅壓力傳感器技術與專業(yè)封裝工藝，精心研制出的一款技術的高性能壓力變送器,測量精度高達0.075級，的雙過載保護膜設計，單向過壓可達40MPa。單晶硅壓力傳感器位于金屬位于頂部，遠離介質(zhì)接觸面，實現(xiàn)機械隔離和熱隔離；玻璃燒結一體的傳感器引線實現(xiàn)了與金屬基體的高強度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力。這些技術確保了單晶硅壓力變送器可從容應對的化學場合和機械負荷，同時具備抗電磁干擾能力，足以應對為復雜的工業(yè)環(huán)境應用，是名副其實的隱形儀表。

電容式差壓變送器的檢測元件采用電容式壓力傳感器，組成分測量和放大兩大部分。輸入差壓作用于測量部分電容式壓力傳感器的中心感壓膜片，從而使感壓膜片（即可動電極）與兩固定電極所組成電容量發(fā)生變化，此電容變化量由電容/電流轉換電路轉換成電流信號Id，Id和調(diào)零與零遷電路產(chǎn)生的調(diào)零信號IZ的代數(shù)和同反饋電路產(chǎn)生的反饋信號If進行比較，其差值送入放大器，經(jīng)放大得到整機的輸出信號IO。

單晶硅變送器采用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。電容式變送器被測介質(zhì)的兩種壓力通入高、低兩個壓力室，作用在δ元件(即敏感元件)的兩側隔離膜片上，通過隔離片和元件內(nèi)的填充液傳送到測量膜片兩側。電容式壓力變送器是由測量膜片與兩側絕緣片上的電極各組成一個電容器。 當兩側壓力不一致時，致使測量膜片產(chǎn)生位移，其位移量和壓力差成正比，故兩側電容量就不等，通過振蕩和解調(diào)環(huán)節(jié)，轉換成與壓力成正比的信號。