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超凈高純化學品是微電子技術(shù)發(fā)展過程中的關(guān)鍵基礎(chǔ)化工材料，主要應用在半導體、平板顯示、太陽能光伏領(lǐng)域等及微電子、光電子器件制造領(lǐng)域。隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，對超凈高純試劑的要求和標準也不斷在提高。超凈高純化學品的純度和潔凈度對集成電路的成品率、電性能及可靠性均有十分重要的影響。不同線寬的集成電路（IC）制作工藝技術(shù)，對超凈高純化學品中金屬雜質(zhì)、顆粒物有嚴格要求。金屬雜質(zhì)如Au、Pt、Fe、Ni、Cu等，以及堿金屬Na、K等，都會對電子元器件的性能產(chǎn)生嚴重影響。因此，在制備超凈高純化學品時，除金屬雜質(zhì)和顆粒是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，如下表所示：

SEMI國際標準等級及應用

超凈高純化學品伴隨著集成電路的整個制作過程，在濕法工序中，化學品中的金屬雜質(zhì)會危害到電子元器件電性能，極微量的金屬雜質(zhì)就會嚴重影響半導體的產(chǎn)品質(zhì)量。如Au、Pt、Fe、Ni、Cu等，屬于硅片中的快擴散物質(zhì)，影響元器件的可靠性和閾值電壓，可能導致低擊穿和缺陷。堿金屬如Na、K，會融進氧化膜中，造成元器件漏電、造成低擊穿危害。P、As、Ab、Al等屬于硅片中的淺能級雜質(zhì)，有擴散作用，可影響電子和空穴數(shù)量。隨著集成電路的集成度的日益提升超凈高純化學品中的金屬離子含量要求也越來越嚴格。

在超凈高純化學品的制備和應用過程中，顆粒物的存在是一個不容忽視的問題。這些顆粒物可能來源于原料、生產(chǎn)環(huán)境或處理過程中的污染。它們不僅會損害集成電路的成品率和可靠性，還可能影響電子元器件的電性能和穩(wěn)定性。

目前國內(nèi)外制備超凈高純試劑的常用技術(shù)主要有：蒸餾、精餾、樹脂交換、重結(jié)晶、化學處理、膜處理等技術(shù)。膜處理技術(shù)是物理分離過程，無需加熱和無需添加任何化學試劑，是去除微量金屬離子雜質(zhì)的有效方式。國初科技根據(jù)多年的膜技術(shù)應用經(jīng)驗，開發(fā)了一種脫除超凈高純化學品中金屬離子工藝，可實現(xiàn)金屬離子＜50ppt。

除金屬離子外，超凈高純化學品的顆?？刂仆瑯雨P(guān)鍵。國初科技針對超純化學品特性，采用高精度除顆粒超濾膜組件（精度可達5nm），有效去除≥0.2μm顆粒，滿足SEMI Grade 4/5標準要求。  

工藝流程：

為避免接觸部件的溶出物污染，工藝流程中與超凈高純化學品接觸部件均需采用高純材質(zhì)。一級膜組件可將金屬離子雜質(zhì)含量降低至ppb級別，二級膜組件可將金屬離子雜質(zhì)含量降低至ppt級別，三級膜組件為終端過濾確保溶劑無顆粒，精度可達5nm。同時也有助于脫氣泡，提高化學品的穩(wěn)定性。本工藝對K、Na、Ca、Cu、Fe、Mg等金屬雜質(zhì)都有較好的去除效果。

與傳統(tǒng)蒸餾工藝比，本工藝的裝置占地面積小，操作非常容易，系統(tǒng)密封，能耗低，環(huán)境友好。不僅可以用在超凈高純化學品生產(chǎn)，在半導體制程上其他高純試劑的純化應用，如樹脂、聚合物等光刻化學產(chǎn)品，還可以實現(xiàn)金屬離子ppb-ppt級脫除，還可同步完成顆?？刂?，顯著提升超純化學品的綜合品質(zhì)。

除金屬離子外，超凈高純化學品的顆粒控制與氣泡脫除同樣關(guān)鍵。國初科技針對超純化學品特性，還可提供化學品溶液脫氣膜技術(shù)。在使用化學品溶液的工藝流程中快速去除液體中的氣泡或溶解氣體（如O?、CO?），避免氣泡對光刻、蝕刻等工藝的干擾。  

該技術(shù)已大量應用于半導體光刻膠、電子級溶劑等產(chǎn)品的純化，確?；瘜W品在傳輸與使用過程中無顆粒、無氣泡，提升工藝穩(wěn)定性。

國初科技（廈門）有限公司自成立以來，以膜分離技術(shù)為核心，致力于新型分離技術(shù)推廣，不斷探索新型膜分離技術(shù)在微電子、冶金、化工、機械、食品、乳品、飲料、環(huán)境等領(lǐng)域的新應用，根據(jù)不同客戶的高度差異化需求，提供針對性的過濾及純化綜合解決方案，提高產(chǎn)品的品質(zhì)，滿足客戶的需求。